![]() |
![]() |
![]() |
|||||||||||
БНБ "БСЭ" (95279) - Photogallery - Естественные науки - Математика - Технология
|
Интегральная схемаОпределение "Интегральная схема" в Большой Советской Энциклопедии
Технология изготовления ПП Интегральная схема обеспечивает одновременную групповую обработку сразу большого количества схем. Это определяет в значительной степени идентичность схем по характеристикам. ПП Интегральная схема имеют высокую надёжность за счёт использования планарного процесса изготовления и значительного сокращения числа микросоединений элементов в процессе создания схем. ПП Интегральная схема развиваются в направлении всё большей концентрации элементов в одном и том же объёме ПП кристалла, т. е. в направлении повышения степени интеграции Интегральная схема Разработаны Интегральная схема, содержащие в одном кристалле сотни и тысячи элементов. В этом случае Интегральная схема превращается в большую интегральную систему (БИС), которую невозможно разрабатывать и изготовлять без использования электронных вычислительных машин высокой производительности. Плёночные Интегральная схема создаются путём осаждения при низком давлении (порядка 1×10-5 мм рт. ст.) различных материалов в виде тонких (толщиною < 1 мкм) или толстых (толщиной > 1 мкм) плёнок на нагретую до определённой температуры полированную подложку (обычно из керамики). В качестве материалов применяют алюминий, золото, титан, нихром, окись тантала, моноокись кремния, титанат бария, окись олова и др. Для получения Интегральная схема с определёнными функциями создаются тонкоплёночные многослойные структуры осаждением на подложку через различные маски (трафареты) материалов с необходимыми свойствами. В таких структурах один из слоев содержит микрорезисторы, другой - микроконденсаторы, несколько следующих - соединительные проводники тока и другие элементы. Все элементы в слоях имеют между собой связи, характерные для конкретных радиотехнических устройств. Плёночные элементы распространены в гибридных Интегральная схема (рис. 2). В этих схемах на подложку сначала наносятся в виде тонких или толстых плёнок пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, проводники тока), а затем с помощью микроманипуляторов монтируют активные элементы - бескорпусные ПП микроэлементы (транзисторы и диоды). По своим конструктивным и электрическим характеристикам ПП и гибридные Интегральная схема дополняют друг друга и могут одновременно применяться в одних и тех же радиоэлектронных комплексах. В целях защиты от внешних воздействий Интегральная схема выпускают в защитных корпусах (рис. 3). По количеству элементов различают Интегральная схема: 1-й степени интеграции (до 10 элементов), 2-й степени интеграции (от 10 до 100) и т. д. Размеры отдельных элементов Интегральная схема очень малы (порядка 0,5-10 мкм) и подчас соизмеримы с размерами пылинок (1-100 мкм). Поэтому производство Интегральная схема осуществляется в особо чистых условиях. О технологических процессах изготовления Интегральная схема см. в ст. Микроэлектроника.
Создание Интегральная схема развивается по нескольким направлениям: гибридные Интегральная схема с дискретными активными элементами; ПП Интегральная схема, выполненные в монолитном блоке ПП материала; совмещенные Интегральная схема, в которых активные элементы выполнены в монолитном блоке ПП материала, а пассивные элементы нанесены в виде тонких плёнок; плёночные Интегральная схема, в которых активные и пассивные элементы нанесены на подложку в виде тонких плёнок. О применении Интегральная схема см. в ст. Интегральная электроника.
Лит.: Колосов Д. А., Горбунов Ю. И., Наумов Ю. Е., Полупроводниковые твердые схемы, М., 1965; Интегральные схемы. Принципы конструирования и производства, пер, с англ., под ред. А. А. Колосова, М., 1968; Интегральные схемы. Основы проектирования и технологии, пер. с англ., под ред. К. И. Мартюшова, М., 1970.
Статья про "Интегральная схема" в Большой Советской Энциклопедии была прочитана 923 раз |
TOP 20
|
|||||||||||