БНБ "БСЭ" (95279) - Photogallery - Естественные науки - Математика - Технология
|
Лавинно-пролётный полупроводниковый диодОпределение "Лавинно-пролётный полупроводниковый диод" в Большой Советской ЭнциклопедииЛавинно-пролётный полупроводниковый диод (ЛПД), полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением, возникающим из-за сдвига фаз между током и напряжением на выводах прибора вследствие инерционных свойств лавинного умножения носителей заряда и конечного времени их пролёта в области р-n-перехода. Лавинное умножение в р-n-переходе вызвано ударной ионизацией атомов носителями заряда. В отличие от др. приборов этого класса (туннельных диодов, тиристоров, Ганна диодов), отрицательное сопротивление ЛПД проявляется только на СВЧ. Идея создания ЛПД впервые высказана американским физиком В. Ридом в 1958. Экспериментально генерация колебаний с помощью ЛПД впервые наблюдалась в СССР в 1959 группой сотрудников под рук. А. С. Тагера. ЛПД применяются для генерирования колебаний в диапазоне частот от 1 до 300 Ггц. Мощность колебаний составляет единицы вт (при кпд ~ 10%). В 1967 был открыт режим работы ЛПД, при котором электрические колебания возникают сразу на 2 частотах: частоте f0, характерной для обычного режима, и её субгармонике f0/fn, где n > 3. Этот режим отличается высокими значениями кпд (до 60% ) и высокими уровнями отдаваемой на субгармониках мощности (до нескольких сотен вт).
Для получения ЛПД могут быть использованы структуры типа p+-n-i-n+ (диод Рида), p-i-n, р-n, р+-n и р-n+, образуемые диффузией примесей, ионной имплантацией, эпитаксиальным наращиванием, напылением в вакууме с образованием барьера Шотки (см. Полупроводниковая электроника). При изготовлении их применяют полупроводниковые материалы с высокой дрейфовой скоростью носителей заряда и большой шириной запрещенной зоны (GaAs, Si, Ge).
Статья про "Лавинно-пролётный полупроводниковый диод" в Большой Советской Энциклопедии была прочитана 642 раз |
TOP 20
|
|||||||