Иллюстрация "Полупроводниковые интегральные схемы. Изготовление" в Большой Советской Энциклопедии
Рис. 2. Последовательность основных технологических операций одного из способов изготовления полупроводниковых ИС: А — подготовка (шлифовка, полировка) пластины кремния с проводимостью n-типа; Б — окисление кремния в атмосфере сухого кислорода; В — фотолитография (фотогравировка слоя окисла кремния, вскрытие «окон» в нём); Г — диффузия сурьмы или мышьяка через «окна» в окисле для получения высокопроводящей области «скрытого» слоя кремния n-типа (1) под коллектором будущего транзистора и базой диода; Д — эпитаксиальное наращивание кремния — нанесение слоя кремния n-типа (2): Е — изолирующая диффузия для получения взаимной электрической изоляции будущих элементов интегральной схемы (ей предшествует окисление эпитаксиального слоя и селективное удаление окисной плёнки с помощью фотолитографии) — диффузия бора, в результате которой эпитаксиальный слой разделяется на отдельные островки кремния n-типа (3), окруженные кремнием р-типа; Ж, З — формирование элементов интегральной схемы в изолированных областях кремния последовательным проведением ещё двух диффузий примесей через вскрываемые с помощью фотолитографии «окна» в дополнительно нанесённой окисной плёнке кремния [вторая диффузия — диффузия бора — производится для создания базовых областей (4) транзисторов, p-n-переходов и областей резисторов, при третьей диффузии — диффузии фосфора — формируются эмиттерные области транзисторов (5)]; И — вскрытие «окон» в окисле кремния под контакты с областями коллектора, эмиттера и базы транзисторов, р- и n- областями диодов и с резисторами; К — создание внутрисхемных соединений посредством вакуумного напыления на поверхность пластины плёнки алюминия, которая затем селективно травится с помощью фотолитографии; сохранённые участки алюминия (6) образуют электроды элементов, соединительные дорожки и контактные площадки для подсоединения структуры интегральной схемы к выводам корпуса.
