Полупроводниковый диод с р-n — переходом

Иллюстрация "Полупроводниковый диод с р-n — переходом" в Большой Советской Энциклопедии


Полупроводниковый диод с р-n — переходом

Рис. 3. Малосигнальная (для низких уровней сигнала) эквивалентная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: rp-n — нелинейное сопротивление р — n-перехода; rб — сопротивление объёма полупроводника (базы диода); ryт — сопротивление поверхностных утечек; СБ — барьерная ёмкость р — n-перехода; Сдиф — диффузионная ёмкость, обусловленная накоплением подвижных зарядов в базе при прямом напряжении; Ск — ёмкость корпуса; Lк — индуктивность токоподводов; А и Б — выводы. Сплошной линией показано подключение элементов, относящихся к собственно р — n-переходу.

>> Вернуться к статье Полупроводниковый диод в БСЭ >>
"БСЭ" >> "П" >> "ПО" >> "ПОЛ" >> "ПОЛУ"

Картинка "Полупроводниковый диод с р-n — переходом" в Большой Советской Энциклопедии была показана 2378 раз
Коптим скумбрию в коробке
Коптим скумбрию дома в коробке

TOP 20