|
|
|
||
|
Навигация: Библиотека DJVU БСЭ Статистика: |
Ионное внедрениеЗначение слова "Ионное внедрение" в Большой Советской ЭнциклопедииПри интенсивной бомбардировке на Ионное внедрение влияет катодное распыление мишени, а также диффузия внедрённых ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени. Ионное внедрение наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле, а также для того, чтобы внедрённые ионы заняли определённые места в узлах кристаллической решётки. Ионное внедрение позволяет вводить в разные полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедрённых ионов по глубине путём изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. Ионное внедрение позволяет создать в полупроводниковом кристалле электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту транзисторов. Лит.: Мейер Дж., Эриксон А., Девис Дж., Ионное легирование полупроводников (кремний, германий), пер. с англ., М., [в печати]; Легирование полупроводников ионным внедрением, пер. с англ., М., 1971. Ю. В. Мартыненко. В Большой Советской Энциклопедии рядом со словом "Ионное внедрение"Ионная эмиссия | Буква "И" | В начало | Буквосочетание "ИО" | Ангарский каскадСтатья про слово "Ионное внедрение" в Большой Советской Энциклопедии была прочитана 0 раз |
Интересное |