БОЛЬШАЯ СОВЕТСКАЯ ЭНЦИКЛОПЕДИЯ, БСЭ БОЛЬШАЯ СОВЕТСКАЯ ЭНЦИКЛОПЕДИЯ, БСЭ
Навигация:

Библиотека DJVU
Photogallery

БСЭ

Статистика:


Полупроводниковый гетеропереход

Значение слова "Полупроводниковый гетеропереход" в Большой Советской Энциклопедии


Полупроводниковый гетеропереход, контакт двух различных по химическому составу полупроводников. На границе раздела
изменяется обычно ширина запрещенной зоны DE, подвижность носителей тока, их эффективные массы и др. характеристики полупроводников. В «резком» Полупроводниковый гетеропереход изменение свойств происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объёмного заряда (см. Электронно-дырочный переход). В зависимости от легирования обеих сторон Полупроводниковый гетеропереход можно создать р-n-гетеропереходы (анизотипные), р-р- и n-n-гетеропереходы (изотипные). Комбинации различных Полупроводниковый гетеропереход и р-n-переходов образуют гетероструктуры.

  Идеальная стыковка кристаллических решёток в Полупроводниковый гетеропереход возможна лишь при совпадении типа, ориентации и периода кристаллических решёток сращиваемых материалов. Кроме того, в идеальном Полупроводниковый гетеропереход граница раздела должна быть свободна от структурных и др. дефектов (дислокаций, заряженных центров и т.п.) и механических напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллические Полупроводниковый гетеропереход между полупроводниковыми соединениями типа AIIIBV и их твёрдыми растворами на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов Ga и Al. Благодаря близости ковалентных радиусов Ga и Al изменение химического состава происходит без изменения периода решётки. Изготовление монокристаллических Полупроводниковый гетеропереход и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания полупроводниковых кристаллов.

  Полупроводниковый гетеропереход используются в различных полупроводниковых приборах: полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах, фотоэлементах, оптронах и т.д.

 

  Лит.: Алферов Ж. И., Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего, в кн.: Физика сегодня и завтра, под ред. В. М. Тучкевича, Л., 1973; Елисеев П. Г., Инжекционные лазеры на гетеропереходах, «Квантовая электроника», 1972, № 6; Алферов Ж. И., Инжекционные гетеролазеры, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Я. Федотова, в. 25, М., 1971.

  Ж. И. Алферов.

 

 

В Большой Советской Энциклопедии рядом со словом "Полупроводниковый гетеропереход"

Полупроводниковые приборы | Буква "П" | В начало | Буквосочетание "ПО" | Полупроводниковый детектор


Статья про слово "Полупроводниковый гетеропереход" в Большой Советской Энциклопедии была прочитана 3840 раз


Интересное