Расклинивающее давление

Определение "Расклинивающее давление" в Большой Советской Энциклопедии

Расклинивающее давление. Рис.

Расклинивающее давление, термодинамический параметр, характеризующий состояние тонкого слоя (плёнки) жидкости или газа в промежутке между поверхностями тел. В условиях равновесия системы Расклинивающее давление П = P₂ — P₁, где P₂ — нормальное давление на плёнку со стороны разделённых ею тел, a P₁ — давление в объёме жидкости (газа), из которой образовалась плёнка (см. рис.). Если Расклинивающее давление имеет положительное значение (П > 0), то плёнка устойчива, если отрицательное (П < 0), — плёнка самопроизвольно утончается вплоть до прорыва. Расклинивающее давление впервые обнаружено советскими учёными Б. В. Дерягиным и Е. В. Обуховым (1934). Оно возникает при взаимном перекрытии 2 поверхностных слоев и обусловлено совокупным действием сил различной природы. Так, составляющими Расклинивающее давление могут быть электростатические силы, силы «упругого» сопротивления сольватных (или адсорбционно-сольватных) слоев, силы межмолекулярного взаимодействия. Расклинивающее давление зависит от толщины плёнки, состава и свойств взаимодействующих фаз (тел) и температуры. Учение о Расклинивающее давление положено в основу теории устойчивости гидрофобных коллоидов Дерягина — Ландау — Фервея — Овербека (сокращённо — теория ДЛФО), объясняет многие поверхностные явления. Преодоление положительного Расклинивающее давление, препятствующего утончению плёнки под действием внешних сил, приводит к слипанию или слиянию соприкасающихся тел. В случае коллоидных систем это означает коагуляцию или коалесценцию частиц дисперсной фазы. Расклинивающее давление оказывает решающее влияние на эффективность таких важных в практическом отношении процессов, как набухание и пептизация глинистых минералов, стабилизация пен, флотация, пропитка, склеивание.
Лит.: Дерягин Б. В., К вопросу об определении понятия и величины расклинивающего давления и его роли в статике и кинетике тонких слоев жидкостей, «Коллоидный журнал», 1955, т. 17, в. 3.
  Л. А. Шиц.