Температурная зависимость концентрации носителей тока в полупроводниках
Иллюстрация "Температурная зависимость концентрации носителей тока в полупроводниках" в Большой Советской Энциклопедии

Рис. 5. Температурная зависимость концентрации n носителей тока в умеренно легированном (1) и сильно легированном (2) полупроводниках: I — область частичной ионизации примесей; II — область их полной ионизации; III — область собственной проводимости.
>> Вернуться к статье Полупроводники в БСЭ >>
Картинка "Температурная зависимость концентрации носителей тока в полупроводниках" в Большой Советской Энциклопедии была показана 2190 раз
|